STW20N95K5、STW6N120K3、STW25N95K3对比区别

高亮显示差异参数

型号 STW20N95K5 STW6N120K3 STW25N95K3

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.275 Ω 1.95 Ω 0.32 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 150 W 400 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 950 V 1200 V 950 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A 6A -

输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 3680pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 150 W 400 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 150W (Tc) 400W (Tc)

上升时间 12 ns - 29 ns

下降时间 20 ns - 59 ns

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -