STW19NM50N、STW6N120K3、IXTH21N50对比区别
型号 STW19NM50N STW6N120K3 IXTH21N50
描述 N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VTO-247AD N-CH 500V 21A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - - 300 W
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 110 W 150 W 300 W
漏源极电压(Vds) 500 V 1200 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 14A 6A 21A
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 150 W 300 W
耗散功率(Max) 110W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.2 Ω 1.95 Ω -
阈值电压 4 V 4 V -
漏源击穿电压 500 V - -
上升时间 16 ns - -
下降时间 17 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
针脚数 - 3 -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 15.75 mm 15.75 mm -
宽度 5.15 mm 5.15 mm -
高度 20.15 mm 20.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -