STW19NM50N、STW6N120K3、IXTH21N50对比区别

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型号 STW19NM50N STW6N120K3 IXTH21N50

描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VTO-247AD N-CH 500V 21A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - - 300 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 150 W 300 W

漏源极电压(Vds) 500 V 1200 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 14A 6A 21A

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 150 W 300 W

耗散功率(Max) 110W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.2 Ω 1.95 Ω -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源击穿电压 500 V - -

上升时间 16 ns - -

下降时间 17 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

针脚数 - 3 -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -