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SPW35N60CFD

SPW35N60CFD

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


立创商城:
SPW35N60CFD


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin3+Tab TO-247


儒卓力:
**CoolMOS 600V 34A 120mOhm TO247 **


力源芯城:
600V,34A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
CoolMOS Power Transistor


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247


SPW35N60CFD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 34.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 313 W

阈值电压 4 V

输入电容 5.06 nF

栅电荷 212 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 5060pF @25VVds

额定功率Max 313 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 313 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPW35N60CFD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPW35N60CFD Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号SPW35N60CFD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPW35N60CFD

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 600V 34A 5.06nF

当前型号

INFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： IXFH26N60Q

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 600V 26A 250mΩ

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH26N60Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V

SPW35N60CFD和IXFH26N60Q的区别

型号： IXTH20N60

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 N-Channel 600V 20A 4.5nF

功能相似

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-247AD

SPW35N60CFD和IXTH20N60的区别

型号： SIHG33N60E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-247-3 N-Channel

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V

SPW35N60CFD和SIHG33N60E-GE3的区别