SIHG33N60E-GE3、SPW35N60CFD、STW34NM60N对比区别

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型号 SIHG33N60E-GE3 SPW35N60CFD STW34NM60N

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 34.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.083 Ω 0.1 Ω 0.092 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 278 W 313 W 210 W

阈值电压 2 V 4 V 3 V

输入电容 - 5.06 nF -

栅电荷 - 212 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 34.0 A 29A

上升时间 60 ns 25 ns 34 ns

输入电容(Ciss) 3508pF @100V(Vds) 5060pF @25V(Vds) 2722pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 313 W 210 W

下降时间 54 ns 12 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 278000 mW 313 W 250W (Tc)

长度 15.87 mm 16.13 mm 15.75 mm

宽度 5.31 mm 5.21 mm 5.15 mm

高度 20.82 mm 21.1 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -