IXFH26N60Q、SPW35N60CFD、APT47N60BC3G对比区别

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型号 IXFH26N60Q SPW35N60CFD APT47N60BC3G

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH26N60Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 VINFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V超级结MOSFET Super Junction MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 26.0 A 34.0 A 47.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.25 Ω 0.1 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 360 W 313 W 417 W

阈值电压 4.5 V 4 V -

输入电容 - 5.06 nF 7.01 nF

栅电荷 - 212 nC 260 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 34.0 A 47.0 A

上升时间 32 ns 25 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds) 7015pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 W 313 W 417 W

下降时间 16 ns 12 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 313 W 417W (Tc)

额定功率 360 W - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 - 16.13 mm -

宽度 5.3 mm 5.21 mm -

高度 - 21.1 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

重量 6 g - -

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -