IXTH20N60、SPW35N60CFD、SPW11N60C3对比区别

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型号 IXTH20N60 SPW35N60CFD SPW11N60C3

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247ADINFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 650 V

额定电流 20.0 A 34.0 A 11.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 313 W 125 W

输入电容 4.50 nF 5.06 nF 1.20 nF

栅电荷 170 nC 212 nC 60.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 34.0 A 11.0 A

上升时间 43 ns 25 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 313 W 125 W

下降时间 40 ns 12 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 313 W 125W (Tc)

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.1 Ω -

阈值电压 - 4 V -

长度 16.26 mm 16.13 mm 16.13 mm

宽度 5.3 mm 5.21 mm 5.21 mm

高度 21.46 mm 21.1 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -