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SPD08P06P
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)

· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

### MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

SPD08P06P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.80 A

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 42W Tc

输入电容 420 pF

栅电荷 15.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 335pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SPD08P06P引脚图与封装图
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在线购买SPD08P06P
型号 制造商 描述 购买
SPD08P06P Infineon 英飞凌 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 搜索库存
替代型号SPD08P06P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPD08P06P

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 P-CH 60V 8.8A 420pF

当前型号

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

当前型号

型号: SPD08P06PG

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 P-Channel 60V 8.8A 420pF

类似代替

60V,-8.83A,P沟道功率MOSFET

SPD08P06P和SPD08P06PG的区别

型号: STD10PF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

SPD08P06P和STD10PF06T4的区别

型号: FQD7P06TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 P-Channel 60V 5.4A 450mohms

功能相似

P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

SPD08P06P和FQD7P06TM的区别