SPD08P06P、STD10PF06T4、FQD7P06TF对比区别

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型号 SPD08P06P STD10PF06T4 FQD7P06TF

描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -8.80 A -10.0 A -5.40 A

通道数 1 1 -

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 42W (Tc) 40 W 2.5 W

输入电容 420 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 10.0 A 5.40 A

上升时间 46 ns 40 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 335pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 295pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 42W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.18 Ω 450 mΩ

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±25.0 V

额定功率(Max) - 40 W -

长度 6.5 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.3 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99