FQD7P06TM、SPD08P06P、FQD7P06对比区别

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型号 FQD7P06TM SPD08P06P FQD7P06

描述 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准Power Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -5.40 A -8.80 A -

漏源极电阻 450 mΩ - -

极性 P-Channel P-CH -

耗散功率 2.5 W 42W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.40 A 8.80 A -

上升时间 50 ns 46 ns -

输入电容(Ciss) 295pF @25V(Vds) 335pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 25 ns 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 42W (Tc) -

通道数 - 1 -

输入电容 - 420 pF -

栅电荷 - 15.0 nC -

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -