SPD08P06P、SPD08P06PG、FQD7P06TF对比区别

高亮显示差异参数

型号 SPD08P06P SPD08P06PG FQD7P06TF

描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准60V,-8.83A,P沟道功率MOSFETTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -8.80 A -8.80 A -5.40 A

漏源极电阻 - - 450 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 42W (Tc) - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 8.80 A 5.40 A

上升时间 46 ns 46 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 335pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds) 295pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns 25 ns

耗散功率(Max) 42W (Tc) - 2.5W (Ta), 28W (Tc)

通道数 1 - -

输入电容 420 pF 420 pF -

栅电荷 15.0 nC 15.0 nC -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定功率(Max) - 42 W -

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99