SI4413ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -15.0 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4413ADY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4413ADY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4413ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4413ADY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4413ADY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC P-Channel -30V -15A | 当前型号 | VISHAY SI4413ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 V | 当前型号 |
| 型号： IRF7424PBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC P-Channel -30V -11A | 功能相似 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7424PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 2.5W, 8-SOIC | SI4413ADY-T1-E3和IRF7424PBF的区别 |
| 型号： SI4459ADY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC P-Channel -30V -29A | 功能相似 | VISHAY SI4459ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V | SI4413ADY-T1-E3和SI4459ADY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4413ADY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC P-Channel 30V 15A | 功能相似 | VISHAY SI4413ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 15A, SOIC | SI4413ADY-T1-E3和SI4413ADY-T1-GE3的区别 |