SI4413ADY-T1-E3、SI4459ADY-T1-GE3、SI4413ADY-T1-GE3对比区别
型号 SI4413ADY-T1-E3 SI4459ADY-T1-GE3 SI4413ADY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4413ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 VVISHAY SI4459ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 VVISHAY SI4413ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 15A, SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0039 Ω 0.0075 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 3.5 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) -15.0 A -29.0 A -15.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1500 mW 3500 mW -
输入电容(Ciss) - 6000pF @15V(Vds) -
高度 1.55 mm 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 - EAR99 -