SI4413ADY-T1-E3、SI4413ADY-T1-GE3、SI4459ADY-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4413ADY-T1-E3 SI4413ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4413ADY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 VVISHAY  SI4413ADY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 15A, SOICVISHAY  SI4459ADY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0075 Ω 0.0039 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W 3.5 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) -15.0 A -15.0 A -29.0 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW - 3500 mW

输入电容(Ciss) - - 6000pF @15V(Vds)

高度 1.55 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99