IRF7424PBF、SI4413ADY-T1-E3、FDS6679AZ对比区别
型号 IRF7424PBF SI4413ADY-T1-E3 FDS6679AZ
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7424PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 2.5W, 8-SOICVISHAY SI4413ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1 VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -11.0 A - -13.0 A
通道数 - - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 13.5 mΩ 0.0063 Ω 0.0077 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 1.5 W 2.5 W
输入电容 - - 3.84 nF
栅电荷 - - 96.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -11.0 A -15.0 A -13.0 A
上升时间 23.0 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 4030pF @25V(Vds) - 3845pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 1 W
下降时间 - - 92 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1500 mW 2.5W (Ta)
产品系列 IRF7424 - -
漏源击穿电压 -30.0 V - -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99