STS3DPF60L、STS6PF30L、SI9424DY对比区别

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型号 STS3DPF60L STS6PF30L SI9424DY

描述 双P沟道60V - 0.10欧姆 - 3A SO- 8 MOSFET的STripFET DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFETP沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -60.0 V -30.0 V -20.0 V

额定电流 -3.00 A -6.00 A -8.00 A

漏源极电阻 120 mΩ 30.0 mΩ 19.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 60.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V ±16.0 V ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 6.00 A 8.00 A

上升时间 54 ns 140 ns 15.0 ns

输入电容(Ciss) 630pF @25V(Vds) 1670pF @25V(Vds) 2260pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 1 W

下降时间 14.5 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

输入电容 - - 2.26 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99