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STD30NF06

N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

N-Channel 60 V 28A Tc 70W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin2+Tab DPAK


STD30NF06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 28.0 A

极性 N-CH

耗散功率 70W Tc

输入电容 1.75 nF

栅电荷 58.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

输入电容Ciss 1750pF @25VVds

额定功率Max 70 W

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD30NF06引脚图与封装图
STD30NF06引脚图

STD30NF06引脚图

STD30NF06封装图

STD30NF06封装图

STD30NF06封装焊盘图

STD30NF06封装焊盘图

在线购买STD30NF06
型号 制造商 描述 购买
STD30NF06 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET 搜索库存
替代型号STD30NF06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD30NF06

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-CH 60V 28A 1.75nF

当前型号

N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

当前型号

型号: STP10P6F6

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 P-CH 60V 10A

功能相似

P沟道60 V , 0.15 I© (典型值) , 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

STD30NF06和STP10P6F6的区别

型号: 2SK2266

品牌: 东芝

封装:

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TO-220FL N-CH 60V 45A

STD30NF06和2SK2266的区别

型号: FQU2N60C

品牌: 飞兆/仙童

封装:

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