
额定电压DC 60.0 V
额定电流 28.0 A
极性 N-CH
耗散功率 70W Tc
输入电容 1.75 nF
栅电荷 58.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
输入电容Ciss 1750pF @25VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

STD30NF06引脚图

STD30NF06封装图

STD30NF06封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STD30NF06 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STD30NF06 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-252 N-CH 60V 28A 1.75nF | 当前型号 | N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP10P6F6 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 P-CH 60V 10A | 功能相似 | P沟道60 V , 0.15 I© (典型值) , 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages | STD30NF06和STP10P6F6的区别 | |
型号: 2SK2266 品牌: 东芝 封装: | 功能相似 | TO-220FL N-CH 60V 45A | STD30NF06和2SK2266的区别 | |
型号: FQU2N60C 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | STD30NF06和FQU2N60C的区别 |