FQU2N60C、STD30NF06、SPW20N60S5对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQU2N60C STD30NF06 SPW20N60S5

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 1.9A 28.0 A 20.0 A

输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 1750pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 70 W 208 W

额定电压(DC) - 60.0 V 650 V

额定电流 - 28.0 A 20.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.19 Ω

耗散功率 - 70W (Tc) 208 W

阈值电压 - - 4.5 V

输入电容 - 1.75 nF 3.00 nF

栅电荷 - 58.0 nC 103 nC

上升时间 - - 25 ns

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 208 W

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Design

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99