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2SK2266、STD30NF06、SPB20N60S5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK2266 STD30NF06 SPB20N60S5

描述 TO-220FL N-CH 60V 45AN沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  SPB20N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 60.0 V 600 V

额定电流 - 28.0 A 20.0 A

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 70W (Tc) 208 W

输入电容 - 1.75 nF 3.00 nF

栅电荷 - 58.0 nC 103 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 45A 28.0 A 20.0 A

输入电容(Ciss) - 1750pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 70 W 208 W

耗散功率(Max) 65W (Tc) 70W (Tc) -

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.16 Ω

阈值电压 - - 4.5 V

上升时间 - - 25 ns

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.4 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99