STD30NF06、STP10P6F6、SPU21N05L对比区别

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型号 STD30NF06 STP10P6F6 SPU21N05L

描述 N沟道60V - 0.020欧姆 - 28A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 28A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFETP沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages20A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-252-3 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 28.0 A - -

极性 N-CH P-CH -

耗散功率 70W (Tc) 30 W -

输入电容 1.75 nF - -

栅电荷 58.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 10A -

输入电容(Ciss) 1750pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds) -

额定功率(Max) 70 W 35 W -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 30W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.13 Ω -

上升时间 - 5.3 ns -

下降时间 - 3.7 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -