STP20NM50FP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 550 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.48 nF
栅电荷 56.0 nC
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1480pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 45W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
STP20NM50FP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP20NM50FP | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | 搜索库存 |
替代型号STP20NM50FP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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