STF20NK50Z、STP20NM50FP、T5026对比区别

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型号 STF20NK50Z STP20NM50FP T5026

描述 N沟道500 V， 0.23 Ω ， 17的超网™功率MOSFET稳压保护TO- 220 ， TO- 247 ， TO- 220FP ， D2PAK N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAKN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

通道数 1 - -

耗散功率 40W (Tc) 45 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V -

上升时间 20 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W 45 W -

下降时间 15 ns 8.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 45W (Tc) -

额定电压(DC) - 550 V -

额定电流 - 20.0 A -

漏源极电阻 - 0.2 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1.48 nF -

栅电荷 - 56.0 nC -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 16.4 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -