STP20NM50FP、TK18A50D(Q,M)、STF19NM50N对比区别

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型号 STP20NM50FP TK18A50D(Q,M) STF19NM50N

描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTOSHIBA  TK18A50D(Q,M)  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STF19NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 SC-67 TO-220-3

额定电压(DC) 550 V - -

额定电流 20.0 A - -

漏源极电阻 0.2 Ω 230 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 50 W 30 W

阈值电压 4 V 2 V 3 V

输入电容 1.48 nF - -

栅电荷 56.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -

上升时间 16 ns - 16 ns

输入电容(Ciss) 1480pF @25V(Vds) - 1000pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 45 W - 30 W

下降时间 8.5 ns - 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) - 30W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 16.4 mm - -

封装 TO-220-3 SC-67 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99