STF19NM50N、STP20NM50FP、STF12NK60Z对比区别

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型号 STF19NM50N STP20NM50FP STF12NK60Z

描述 STMICROELECTRONICS  STF19NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 550 V 600 V

额定电流 - 20.0 A 10.0 A

漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 640 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 45 W 35W (Tc)

输入电容 - 1.48 nF 1.74 nF

栅电荷 - 56.0 nC 59.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 600 V

漏源击穿电压 - 500 V 650 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A 10.0 A

上升时间 16 ns 16 ns 18.5 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 1480pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 45 W 35 W

下降时间 17 ns 8.5 ns 31.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 45W (Tc) 35W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 3 V 4 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 16.4 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -