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SMMBTA06LT3G

SMMBTA06LT3G

数据手册.pdf

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3


立创商城:
SMMBTA06LT3G


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR


艾睿:
ON Semiconductor brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN SMMBTA06LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi SMMBTA06LT3G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SMMBTA06LT3G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMMBTA06LT3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMMBTA06LT3G
型号 制造商 描述 购买
SMMBTA06LT3G ON Semiconductor 安森美 NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 搜索库存
替代型号SMMBTA06LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMMBTA06LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

当前型号

NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

当前型号

型号: MMBTA06LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW

类似代替

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

SMMBTA06LT3G和MMBTA06LT1G的区别

型号: SMMBTA06LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

类似代替

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SMMBTA06LT3G和SMMBTA06LT1G的区别

型号: MMBTA06LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA06LT3G  双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23

SMMBTA06LT3G和MMBTA06LT3G的区别