MMBTA06LT3G、SMMBTA06LT3G、MMBTA06对比区别

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型号 MMBTA06LT3G SMMBTA06LT3G MMBTA06

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA06LT3G  双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 350 mW

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 100 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 0.35 W

额定功率 - - 350 mW

集电极击穿电压 - - 80.0 V

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.92 mm

宽度 2.64 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 1.11 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99