制造商型号： | SPP20N60S5 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) SPP20N60S5
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SPP20N60S5 中文资料
数据手册PDF
SPP20N60S5 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 120 ns
外形参数
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPP2N6S5XK SP000681062 SPP20N60S5XKSA1
单位重量 2 g
SPP20N60S5 引脚图与封装图
SPP20N60S5引脚图
SPP20N60S5封装图
SPP20N60S5封装焊盘图
品牌其他型号
SPP20N60S5品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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