BC807-40LT3G、SBC807-40LT3G、BC807-40-7-F对比区别
型号 BC807-40LT3G SBC807-40LT3G BC807-40-7-F
描述 ON SEMICONDUCTOR BC807-40LT3G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管DIODES INC. BC807-40-7-F 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz - 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 3 - 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 225 mW 300 mW 310 mW
增益频宽积 100 MHz - -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 300 mW 310 mW
直流电流增益(hFE) 40 - 250
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 310 mW
额定功率 - - 0.31 W
长度 2.9 mm 3.04 mm 3.05 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 1.01 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
军工级 - - Yes
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99