FQB6N80TM、STB7NK80ZT4对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQB6N80TM STB7NK80ZT4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB6N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 800 V 800 V

额定电流 5.80 A 5.20 A

针脚数 3 3

漏源极电阻 1.5 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 158 W 125 W

阈值电压 5 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.20 A

上升时间 70 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W 125 W

下降时间 45 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 158W (Tc) 125W (Tc)

通道数 - 1

长度 10.67 mm 10.75 mm

宽度 9.65 mm 9.35 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99