STB7NK80Z、STB7NK80ZT4对比区别

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型号 STB7NK80Z STB7NK80ZT4

描述 N沟道800 V ， 1.5 Ω ， 5.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 D2PAK TO-263-3

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 5.20 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 1.5 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 125 W

阈值电压 - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.2A 5.20 A

上升时间 - 12 ns

输入电容(Ciss) - 1138pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 125W (Tc)

长度 - 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99