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STD60N3LH5

STD60N3LH5

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

表面贴装型 N 通道 48A（Tc） 60W（Tc） DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK


STD60N3LH5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 7.6 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD60N3LH5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD60N3LH5 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存
替代型号STD60N3LH5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD60N3LH5

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 30V 24A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

当前型号

型号： STD50N03L

品牌： 意法半导体

封装： TO-252-3

类似代替

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STD60N3LH5和STD50N03L的区别

型号： FDD6670A

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 30V 66A 8mohms

功能相似

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STD60N3LH5和FDD6670A的区别

型号： FDD8780

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 25V 35A 6.5mohms 1.44nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8780  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 25 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V

STD60N3LH5和FDD8780的区别