FDD8780、STD60N3LH5、NTD4909NT4G对比区别

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型号 FDD8780 STD60N3LH5 NTD4909NT4G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8780  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 25 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 VSTMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 35.0 A - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0065 Ω 7.6 mΩ 8 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 60 W 1.37 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.7 V

输入电容 1.44 nF - -

栅电荷 29.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 25.0 V - 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 24.0 A 12.1A

上升时间 9 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 1440pF @13V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1314pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 60 W 1.37 W

下降时间 24 ns 4.2 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50 W 60W (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

通道数 - - 1

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -