FDD6670A、STD60N3LH5、STD100N3LF3对比区别
型号 FDD6670A STD60N3LH5 STD100N3LF3
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 66.0 A - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.008 Ω 7.6 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 70 W 60 W 110 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -55.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 66.0 A 24.0 A 80A
上升时间 12 ns 33 ns 205 ns
输入电容(Ciss) 1755pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 60 W 110 W
下降时间 19 ns 4.2 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 63W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - - 1
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -