STD50N03L、STD60N3LH5对比区别
描述 N沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3
耗散功率 60W (Tc) 60 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1434pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 60 W
耗散功率(Max) 60W (Tc) 60W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 7.6 mΩ
极性 - N-Channel
阈值电压 - 1.8 V
连续漏极电流(Ids) - 24.0 A
上升时间 - 33 ns
下降时间 - 4.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17