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STD50N03L、STD60N3LH5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD50N03L STD60N3LH5

描述 N沟道30V - 9.2mohm - 40A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

耗散功率 60W (Tc) 60 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1434pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 60 W

耗散功率(Max) 60W (Tc) 60W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 7.6 mΩ

极性 - N-Channel

阈值电压 - 1.8 V

连续漏极电流(Ids) - 24.0 A

上升时间 - 33 ns

下降时间 - 4.2 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17