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STD60NF55LT4

STD60NF55LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK


欧时:
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Compared to traditional transistors, STD60NF55LT4 power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device is made with stripfet ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V


儒卓力:
**N-CH 55V 60A 15mOhm TO252-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK


STD60NF55LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 60.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 1950pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD60NF55LT4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD60NF55LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号STD60NF55LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD60NF55LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 55V 30A 14mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: IRLR3915TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 61A

功能相似

N沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA

STD60NF55LT4和IRLR3915TRPBF的区别

型号: IRLR2905ZTRPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 60A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

STD60NF55LT4和IRLR2905ZTRPBF的区别

型号: IRLR2905ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 60A

功能相似

INFINEON  IRLR2905ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V

STD60NF55LT4和IRLR2905ZPBF的区别