IRLR2905ZTRPBF、STD60NF55LT4、IRLR2905TRLPBF对比区别
型号 IRLR2905ZTRPBF STD60NF55LT4 IRLR2905TRLPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。STMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 13.5 mΩ 0.012 Ω 0.027 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 60A 30.0 A 42A
上升时间 130 ns 180 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 35 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 100W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 60.0 A -
漏源击穿电压 55 V 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
额定功率(Max) 110 W 110 W -
额定功率 110 W - -
通道数 1 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm 6.6 mm -
宽度 6.22 mm 6.2 mm -
高度 2.39 mm 2.4 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99