IRLR3915TRPBF、STD60NF55LT4、IRLR3915PBF对比区别
型号 IRLR3915TRPBF STD60NF55LT4 IRLR3915PBF
描述 N沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AASTMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 VN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 120 W - 120 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.012 Ω 0.012 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 110 W 120 W
阈值电压 3 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 61A 30.0 A 61A
上升时间 51 ns 180 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 1870pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1870pF @25V(Vds)
下降时间 100 ns 35 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 100W (Tc) 120W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 60.0 A -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
额定功率(Max) 120 W 110 W -
输入电容 1870 pF - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 2014/06/16 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -