IRLR2905ZPBF、STD60NF55LT4、IRLR2905Z对比区别

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型号 IRLR2905ZPBF STD60NF55LT4 IRLR2905Z

描述 INFINEON  IRLR2905ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 55V 60A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0135 Ω 0.012 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 110 W 110W (Tc)

阈值电压 3 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 60A 30.0 A 60A

上升时间 130 ns 180 ns -

输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 35 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 100W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 60.0 A -

漏源击穿电压 - 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

额定功率(Max) - 110 W -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -