锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STS4DPF30L

STS4DPF30L

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

P 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


富昌:
STS4DPF30L系列 双P沟道 30 V 0.08 Ohm STripFET MosFet - SOIC-8


TME:
Transistor: P-MOSFET x2; STripFET™ F7; unipolar; -30V; -2.5A; 2W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  Dual MOSFET, Dual P Channel, 4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC


STS4DPF30L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -4.00 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STS4DPF30L引脚图与封装图
STS4DPF30L引脚图

STS4DPF30L引脚图

STS4DPF30L封装图

STS4DPF30L封装图

STS4DPF30L封装焊盘图

STS4DPF30L封装焊盘图

在线购买STS4DPF30L
型号 制造商 描述 购买
STS4DPF30L ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号STS4DPF30L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STS4DPF30L

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOIC P-Channel 30V 4A 80mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

当前型号

型号： STS4DPF20L

品牌： 意法半导体

封装： SOIC P-Channel 20V 4A 80mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STS4DPF30L和STS4DPF20L的区别

型号： FDS6975

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOIC P-Channel -30V -6A 32mohms 1.54nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6975  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V

STS4DPF30L和FDS6975的区别

型号： FDS9953A

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOIC P-Channel 30V 2.9mA 95mohms 185pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9953A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -30 V, 0.095 ohm, -10 V, -1.8 V

STS4DPF30L和FDS9953A的区别