FDS6975、STS4DPF30L、SI4943BDY-T1-E3对比区别

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型号 FDS6975 STS4DPF30L SI4943BDY-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6975  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 VSTMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -6.00 A -4.00 A -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.025 Ω 0.07 Ω 19 mΩ

极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

输入电容 1.54 nF - -

栅电荷 14.5 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) -6.00 A 4.00 A -8.40 A

上升时间 22 ns 35 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 1540pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW 2 W 1.1 W

下降时间 18 ns 35 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2000 mW

反向恢复时间 - - 55 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -