STS4DPF20L、STS4DPF30L、SI4925DY对比区别

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型号 STS4DPF20L STS4DPF30L SI4925DY

描述 N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V双P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -

额定电流 -4.00 A -4.00 A -

通道数 2 2 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 25.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1.6 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V -

漏源击穿电压 20 V 30 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A -

上升时间 35 ns 35 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.6 W 2 W -

下降时间 35 ns 35 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.25 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99