FDS9953A、STS4DPF30L、NDS9953A对比区别

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型号 FDS9953A STS4DPF30L NDS9953A

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9953A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -30 V, 0.095 ohm, -10 V, -1.8 VSTMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -2.90 A -4.00 A -2.90 A

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.095 Ω 0.07 Ω 0.2 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

输入电容 185 pF - -

栅电荷 2.50 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.90 mA 4.00 A 2.90 A

上升时间 13 ns 35 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 185pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 350pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 900 mW

下降时间 2 ns 35 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

漏源击穿电压 - 30 V -30.0 V

通道数 - 2 -

阈值电压 - 1 V -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99