RFD12N06RLESM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
RFD12N06RLESM中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 49 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
RFD12N06RLESM引脚图与封装图
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在线购买RFD12N06RLESM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RFD12N06RLESM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号RFD12N06RLESM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RFD12N06RLESM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 17A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： RFD12N06RLESM9A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 17mA 75mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.052 ohm, 10 V, 3 V 新 | RFD12N06RLESM和RFD12N06RLESM9A的区别 |
| 型号： SUD45N05-20L-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 N-Channel 50V 30A 18mΩ | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3Pin DPAK | RFD12N06RLESM和SUD45N05-20L-E3的区别 |
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