RFD12N06RLESM、SUB75N08-10-E3、RFD12N06RLESM9A对比区别

高亮显示差异参数

型号 RFD12N06RLESM SUB75N08-10-E3 RFD12N06RLESM9A

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 VMOSFET 75V 75A 187WFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.052 ohm, 10 V, 3 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252 TO-263-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 17.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 70 mΩ 21.0 mΩ 0.052 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 49 W 3.70 W 49 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 75.0 V 60 V

漏源击穿电压 - 75.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 75.0 A 17.0 mA

输入电容(Ciss) - - 485pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 49 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 49W (Tc)

长度 - 10.67 mm 6.73 mm

宽度 - 9.65 mm 6.22 mm

高度 - 4.83 mm 2.39 mm

封装 TO-252 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99