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RFD12N06RLESM、SUD45N05-20L-E3、RFD12N06RLESM9A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFD12N06RLESM SUD45N05-20L-E3 RFD12N06RLESM9A

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 50V 30A 3Pin DPAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.052 ohm, 10 V, 3 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 70 mΩ 18 mΩ 0.052 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 49 W 2.5 W 49 W

阈值电压 3 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 30.0 A 17.0 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

漏源击穿电压 - 50.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 17.0 A

输入电容(Ciss) - - 485pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 49 W

耗散功率(Max) - - 49W (Tc)

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.39 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99