RFD12N06RLESM、RFD12N06RLESM9A对比区别

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型号 RFD12N06RLESM RFD12N06RLESM9A

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 70 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD12N06RLESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.052 ohm, 10 V, 3 V 新

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 17.0 A

针脚数 3 3

漏源极电阻 70 mΩ 0.052 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 49 W 49 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17.0 mA

输入电容(Ciss) - 485pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 49 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 49W (Tc)

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 - EAR99