RSD200N10TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD200N10TL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 20W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 193 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSD200N10TL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RSD200N10TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSD200N10TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT N-CH 100V 20A | 搜索库存 |
替代型号RSD200N10TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSD200N10TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 N-CH 100V 20A | 当前型号 | CPT N-CH 100V 20A | 当前型号 |
| 型号： RSD201N10TL 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT N-Channel 100V 20A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V | RSD200N10TL和RSD201N10TL的区别 |
| 型号： NTD6415ANLT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 23A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | RSD200N10TL和NTD6415ANLT4G的区别 |
| 型号： SPP21N10 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 100V 21A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | RSD200N10TL和SPP21N10的区别 |