RSD200N10TL、SPP21N10、RSD201N10TL对比区别
型号 RSD200N10TL SPP21N10 RSD201N10TL
描述 CPT N-CH 100V 20ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 20W (Tc) 90 W 0.85 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 20A 21A 20A
上升时间 61 ns 56 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 865pF @25V(Vds) 2100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 20 W 90 W -
下降时间 193 ns 23 ns 100 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20W (Tc) 90W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.033 Ω
阈值电压 - - 2.5 V
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 21.0 A -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free