RSD200N10TL、RSD201N10TL、FDD3690对比区别

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型号 RSD200N10TL RSD201N10TL FDD3690

描述 CPT N-CH 100V 20A晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.033 Ω 64 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 20W (Tc) 0.85 W 60 W

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A 22.0 A

上升时间 61 ns 35 ns 6.5 ns

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2100pF @25V(Vds) 1514pF @50V(Vds)

下降时间 193 ns 100 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) 3.8W (Ta), 60W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 22.0 A

通道数 - - 1

输入电容 - - 1.51 nF

栅电荷 - - 28.0 nC

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) 20 W - 1.6 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Not For New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99