NTD6415ANLT4G、RSD200N10TL、STD15NF10T4对比区别

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型号 NTD6415ANLT4G RSD200N10TL STD15NF10T4

描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorCPT N-CH 100V 20ASTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 83 W 20W (Tc) 70 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 23A 20A 23.0 A

上升时间 91 ns 61 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 1024pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 20 W 70 W

下降时间 71 ns 193 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 20W (Tc) 70W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 23.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.044 Ω - 0.065 Ω

阈值电压 2 V - 3 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输入电容 1024 pF - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.38 mm - 2.4 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -