极性 N-CH
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 8250pF @25VVds
额定功率Max 230 W
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PSMN009-100B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 100V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PSMN009-100B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: D2PAK N-CH 100V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 75A | 当前型号 | |
型号: STB120NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V | PSMN009-100B,118和STB120NF10T4的区别 | |
型号: FQB55N10TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: D2PAK N-Channel 100V 55mA 26mohms 2.1nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB55N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V | PSMN009-100B,118和FQB55N10TM的区别 | |
型号: IRFS4410TRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 96A | 功能相似 | INFINEON IRFS4410TRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V 新 | PSMN009-100B,118和IRFS4410TRLPBF的区别 |